FQP13N06L. ONSEMI

Description: ONSEMI - FQP13N06L. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 13.6 A, 0.11 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, Dauer-Drainstrom Id: 13.6, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 45, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Verlustleistung: 45, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).