FQP27N25.. ONSEMI

Description: ONSEMI - FQP27N25.. - N CH MOSFET, 250V, 25.5A, TO-220, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 250, Dauer-Drainstrom Id: 25.5, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 180, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 180, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: N Channel, Kanaltyp: N Channel, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.11, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11, SVHC: Lead.