FQP50N06 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FQP50N06 - MOSFET, N TO-220 TUBE 50
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 600+ | 52.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP50N06 ONSEMI
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V.
Можливі заміни FQP50N06 ONSEMI
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQP50N06C Код товару: 205802
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : JSMSemi |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 50 A Монтаж: THT |
у наявності: 43 шт
31 шт - склад
6 шт - РАДІОМАГ-Київ 5 шт - РАДІОМАГ-Львів 1 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції FQP50N06 за ціною від 30.80 грн до 68.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FQP50N06 Код товару: 31258
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Fairchild |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||
|
FQP50N06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FQP50N06 | Виробник : JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 25V; 22mOhm; 50A; 120W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FQP50N06 Onsemi; FQP50N06 JSMICRO TFQP50n06 JSM |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||
| FQP50N06 | Виробник : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 50A 60V 120W 0.022Ω FQP50N06 TFQP50n06 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||
|
FQP50N06 Код товару: 193976
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : JSMicro |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-220 Uds,V: 60 V Idd,A: 50 A Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1180/31 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||
|
|
FQP50N06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
FQP50N06 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1540 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
FQP50N06 | Виробник : onsemi |
MOSFETs TO-220 N-CH 60V 50A |
товару немає в наявності |


