FQPF6N90C. ONSEMI

Description: ONSEMI - FQPF6N90C. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 6 A, 2.3 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900, Dauer-Drainstrom Id: 6, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 56, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 56, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).