FS15R12VT3BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIESCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Pulsed collector current: 30A
Power dissipation: 86W
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Technology: EasyPACK™
Topology: IGBT three-phase bridge
Case: AG-EASY750-1
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS15R12VT3BOMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 15A, Pulsed collector current: 30A, Power dissipation: 86W, Electrical mounting: Press-in PCB, Type of module: IGBT, Technology: EasyPACK™, Topology: IGBT three-phase bridge, Case: AG-EASY750-1, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FS15R12VT3BOMA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FS15R12VT3BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 24A 86000mW 11-Pin EASY750-1 Tray |
товару немає в наявності |
|
 |
FS15R12VT3BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 24A 86W |
товару немає в наявності |
|
| FS15R12VT3BOMA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 15A Pulsed collector current: 30A Power dissipation: 86W Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: IGBT Technology: EasyPACK™ Topology: IGBT three-phase bridge Case: AG-EASY750-1 |
товару немає в наявності |