на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2272.98 грн |
| 10+ | 2066.34 грн |
| 25+ | 1620.79 грн |
| 120+ | 1521.15 грн |
| 280+ | 1448.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS20R06VE3 Infineon Technologies
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 20A, Case: AG-EASY750-1, Max. off-state voltage: 0.6kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 20A, Pulsed collector current: 40A, Application: Inverter, Power dissipation: 71.5W, Electrical mounting: Press-in PCB, Type of module: IGBT, Technology: EasyPACK™, Topology: IGBT half-bridge x3, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FS20R06VE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FS20R06VE3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 20A Case: AG-EASY750-1 Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 40A Application: Inverter Power dissipation: 71.5W Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: IGBT Technology: EasyPACK™ Topology: IGBT half-bridge x3 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
|
|
FS20R06VE3 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge x3; Ic: 20A Case: AG-EASY750-1 Max. off-state voltage: 0.6kV Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 20A Pulsed collector current: 40A Application: Inverter Power dissipation: 71.5W Electrical mounting: Press-in PCB Type of module: IGBT Technology: EasyPACK™ Topology: IGBT half-bridge x3 |
товар відсутній |