FS600R07A2E3BOSA1

FS600R07A2E3BOSA1 Infineon Technologies


95507319912681dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304335f1f4b.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 650V 530A 1250000mW Automotive 33-Pin HYBRID2-1 Tray
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FS600R07A2E3BOSA1 Infineon Technologies

Description: MODULE IGBT 600V HYBRID PACK 2, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 400A, NTC Thermistor: Yes, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 530 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 1250 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 39 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FS600R07A2E3BOSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FS600R07A2E3BOSA1 Виробник : Infineon Technologies Description: MODULE IGBT 600V HYBRID PACK 2
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 530 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 1250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 39 nF @ 25 V
товар відсутній