FZ1200R12HE4HOSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1825A 7150W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 1.2kA
NTC Thermistor: No
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1825 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 7150 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 74 nF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 25741.66 грн |
| 10+ | 24173.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZ1200R12HE4HOSA2 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1825A 7150W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Switch, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 1.2kA, NTC Thermistor: No, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 1825 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 7150 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 74 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FZ1200R12HE4HOSA2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| FZ1200R12HE4HOSA2 | Infineon Technologies |
IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| FZ1200R12HE4HOSA2 |
|
Виробник: Infineon Technologies
IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 diode
IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.