Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > FZ2400R12HE4B9NPSA1

FZ2400R12HE4B9NPSA1 Infineon Technologies

INFNS27080-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Infineon Technologies
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 2.4kA
NTC Thermistor: No
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3560 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 13500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+68016.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FZ2400R12HE4B9NPSA1 Infineon Technologies

Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Switch, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 2.4kA, NTC Thermistor: No, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3560 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 13500 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V.

Інші пропозиції FZ2400R12HE4B9NPSA1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FZ2400R12HE4B9NPSA1 FZ2400R12HE4B9NPSA1 Виробник : Infineon Technologies 198997679775451dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a30433e4143b.pdf Trans IGBT Module N-CH 1200V 3.56KA 13500000mW 9-Pin IHMB190-2 Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.