G26P04D5 Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<22
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2479 pF @ 20 V

на замовлення 50000 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	14.29 грн
15000+	12.76 грн
30000+	11.44 грн
50000+	9.94 грн

Мінімальне замовлення: 5000

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G26P04D5 Goford Semiconductor

Інші пропозиції G26P04D5 за ціною від 17.76 грн до 51.39 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	G26P04D5	Виробник : Goford Semiconductor	Description: P40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<22 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2479 pF @ 20 V	на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна 5000+ 18.61 грн Мінімальне замовлення: 5000 купити В кошику  од. на суму  грн.
	G26P04D5	Виробник : Goford Semiconductor	Description: P40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<22 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2479 pF @ 20 V	на замовлення 62723 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна 7+ 51.39 грн 10+ 43.15 грн 100+ 29.87 грн 500+ 23.43 грн 1000+ 19.94 грн 2000+ 17.76 грн Мінімальне замовлення: 7 купити В кошику  од. на суму  грн.