Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G700P06D3
G700P06D3

G700P06D3 Goford Semiconductor

GOFORD-G700P06D3.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-18A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1446 pF @ 30 V
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+32.97 грн
12+ 24.36 грн
100+ 14.63 грн
500+ 12.71 грн
1000+ 8.64 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G700P06D3 Goford Semiconductor

Description: P-60V,-18A,RD(MAX).

Інші пропозиції G700P06D3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G700P06D3 G700P06D3 Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G700P06D3.pdf Description: P-60V,-18A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1446 pF @ 30 V
товар відсутній