Продукція > NEXPERIA USA INC. > GAN039-650NTBJ
GAN039-650NTBJ

GAN039-650NTBJ Nexperia USA Inc.

GAN039-650NTB.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: GAN CASCODE FETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+989.10 грн
10+668.43 грн
100+557.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GAN039-650NTBJ Nexperia USA Inc.

Description: GAN CASCODE FETS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA, Supplier Device Package: CCPAK1212i, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GAN039-650NTBJ за ціною від 1318.90 грн до 1318.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GAN039-650NTBJ GAN039-650NTBJ Nexperia gan039-650ntb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1318.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJ GAN039-650NTBJ Nexperia gan039-650ntb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1318.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJ GAN039-650NTBJ NEXPERIA 4032196.pdf Description: NEXPERIA - GAN039-650NTBJ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 26nC
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJ GAN039-650NTBJ Nexperia GAN039-650NTB.pdf GaN FETs GAN039-650NTB/SOT8005/CCPAK121
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJ GAN039-650NTBJ NEXPERIA 4032196.pdf Description: NEXPERIA - GAN039-650NTBJ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 26nC
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJ gan039-650ntb.pdf
GAN039-650NTBJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1318.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJ gan039-650ntb.pdf
GAN039-650NTBJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+1318.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJ 4032196.pdf
GAN039-650NTBJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN039-650NTBJ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 26nC
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJ GAN039-650NTB.pdf
GAN039-650NTBJ
Виробник: Nexperia
GaN FETs GAN039-650NTB/SOT8005/CCPAK121
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJ 4032196.pdf
GAN039-650NTBJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN039-650NTBJ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 26nC
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.