Продукція > NEXPERIA > GAN039-650NTBJ
GAN039-650NTBJ

GAN039-650NTBJ Nexperia

Виробник: Nexperia
GaN FETs 650 V, 33 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a CCPAK1212i package
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+975.45 грн
10+844.36 грн
25+733.48 грн
100+664.05 грн
1000+563.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GAN039-650NTBJ Nexperia

Description: GAN CASCODE FETS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA, Supplier Device Package: CCPAK1212i, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GAN039-650NTBJ за ціною від 569.87 грн до 1236.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GAN039-650NTBJ GAN039-650NTBJ Виробник : Nexperia USA Inc. Description: GAN CASCODE FETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1000.76 грн
10+758.38 грн
25+706.94 грн
100+610.39 грн
250+585.11 грн
500+569.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJ GAN039-650NTBJ Виробник : NEXPERIA 4032196.pdf Description: NEXPERIA - GAN039-650NTBJ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1038.67 грн
50+821.42 грн
100+720.50 грн
250+687.13 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJ GAN039-650NTBJ Виробник : Nexperia gan039-650ntb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1066.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJ GAN039-650NTBJ Виробник : Nexperia gan039-650ntb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+1148.17 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJ GAN039-650NTBJ Виробник : NEXPERIA 4032196.pdf Description: NEXPERIA - GAN039-650NTBJ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 26nC
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1236.75 грн
5+1137.71 грн
10+1038.67 грн
50+821.42 грн
100+720.50 грн
250+687.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJ GAN039-650NTBJ Виробник : Nexperia gan039-650ntb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJ GAN039-650NTBJ Виробник : Nexperia USA Inc. Description: GAN CASCODE FETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.