Продукція > NEXPERIA > GAN039-650NTBJ
GAN039-650NTBJ

GAN039-650NTBJ NEXPERIA

4032196.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - GAN039-650NTBJ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 26nC
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+869.81 грн
50+806.90 грн
100+674.62 грн
250+660.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GAN039-650NTBJ NEXPERIA

Description: GAN CASCODE FETS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: GaNFET (Gallium Nitride), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA, Supplier Device Package: CCPAK1212i, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V.

Інші пропозиції GAN039-650NTBJ за ціною від 486.30 грн до 1227.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GAN039-650NTBJ GAN039-650NTBJ Виробник : NEXPERIA 4032196.pdf Description: NEXPERIA - GAN039-650NTBJ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 58.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 26nC
Bauform - Transistor: CCPAK1212i
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+990.57 грн
5+930.61 грн
10+869.81 грн
50+806.90 грн
100+674.62 грн
250+660.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJ GAN039-650NTBJ Виробник : Nexperia USA Inc. Description: GAN CASCODE FETS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+998.35 грн
10+756.55 грн
25+705.24 грн
100+608.92 грн
250+583.71 грн
500+568.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJ GAN039-650NTBJ Виробник : Nexperia GaN FETs 650 V, 33 mOhm Gallium Nitride (GaN) FET in a CCPAK1212i package
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1092.55 грн
10+804.24 грн
100+604.49 грн
500+572.87 грн
1000+486.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJ GAN039-650NTBJ Виробник : Nexperia gan039-650ntb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+1145.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJ GAN039-650NTBJ Виробник : Nexperia gan039-650ntb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1227.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJ GAN039-650NTBJ Виробник : Nexperia gan039-650ntb.pdf Trans MOSFET N-CH GaN 650V 58.5A 12-Pin CCPAK EP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GAN039-650NTBJ GAN039-650NTBJ Виробник : Nexperia USA Inc. Description: GAN CASCODE FETS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 1mA
Supplier Device Package: CCPAK1212i
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.