GANE011-080CBAZ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - GANE011-080CBAZ - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 80 V, 27 A, 0.011 ohm, 2.2 nC, WLCSP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 2.2nC, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: WLCSP, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.