GBI10J-T DIOTEC SEMICONDUCTOR
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.32 грн |
| 47+ | 23.63 грн |
| 130+ | 22.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBI10J-T DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: BRIDGE 1-PH GBI 600V 10A, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-SIP, GBI, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBI, Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V, Current - Average Rectified (Io): 3 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V.
Інші пропозиції GBI10J-T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GBI10J-T | Виробник : Diotec Semiconductor |
 Description: BRIDGE 1-PH GBI 600V 10APackaging: Bulk Package / Case: 4-SIP, GBI Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBI Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V Current - Average Rectified (Io): 3 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |