GBJ2510-G Comchip Technology
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 204.27 грн |
10+ | 148.90 грн |
30+ | 128.74 грн |
105+ | 97.85 грн |
255+ | 87.55 грн |
1005+ | 86.07 грн |
2505+ | 85.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBJ2510-G Comchip Technology
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ, Packaging: Tube, Package / Case: 4-SIP, GBJ, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBJ, Part Status: Active, Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV, Current - Average Rectified (Io): 25 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 12.5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції GBJ2510-G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
GBJ2510G | Виробник : LTTSC |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
![]() |
GBJ2510-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
GBJ2510-G | Виробник : Comchip Technology |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-SIP, GBJ Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBJ Part Status: Active Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV Current - Average Rectified (Io): 25 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 12.5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |