GD100FFY120C6S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD100FFY120C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 155 A, 1.7 V, 511 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 511W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 511W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 155A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 155A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8983.36 грн |
| 5+ | 8474.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD100FFY120C6S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD100FFY120C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 155 A, 1.7 V, 511 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 511W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 511W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 155A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 155A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GD100FFY120C6S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GD100FFY120C6S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C6 62mm Type of semiconductor module: IGBT Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 10 шт |
товару немає в наявності |
||
| GD100FFY120C6S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C6 62mm Type of semiconductor module: IGBT Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |