GD150FFX65C6S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD150FFX65C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 181 A, 1.45 V, 442 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 181A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 442W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 442W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 181A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 7307.89 грн |
| 5+ | 6981.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD150FFX65C6S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD150FFX65C6S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 181 A, 1.45 V, 442 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 181A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 442W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 442W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 181A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GD150FFX65C6S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GD150FFX65C6S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C6 62mm Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Electrical mounting: Press-in PCB Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Max. off-state voltage: 650V кількість в упаковці: 10 шт |
товару немає в наявності |
||
| GD150FFX65C6S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Type of module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C6 62mm Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Electrical mounting: Press-in PCB Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 150A Pulsed collector current: 300A Max. off-state voltage: 650V |
товару немає в наявності |