GD200HFY120C8S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD200HFY120C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 309 A, 1.7 V, 1.006 kW, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 1.006kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.006kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 309A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 309A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5793.23 грн |
| 5+ | 5374.89 грн |
| 10+ | 4884.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD200HFY120C8S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD200HFY120C8S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 309 A, 1.7 V, 1.006 kW, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 1.006kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.006kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 309A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 309A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GD200HFY120C8S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GD200HFY120C8S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 200A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C8 48mm Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: Advanced Trench FS IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 200A Pulsed collector current: 400A |
товару немає в наявності |