GD20PJX65L2S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD20PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 40 A, 1.45 V, 129 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 40A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 129W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2565.39 грн |
| 5+ | 2396.61 грн |
| 10+ | 2227.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD20PJX65L2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD20PJX65L2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 40 A, 1.45 V, 129 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 40A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 129W, Bauform - Transistor: Modul, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GD20PJX65L2S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GD20PJX65L2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 650V Collector current: 20A Case: L2.2 Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||
| GD20PJX65L2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 650V; Ic: 20A Type of module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 650V Collector current: 20A Case: L2.2 Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 40A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |