GD225HFX170C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR


Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 225A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Case: C6 62mm
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 225A
Pulsed collector current: 450A
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD225HFX170C6S STARPOWER SEMICONDUCTOR

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 225A, Max. off-state voltage: 1.7kV, Electrical mounting: Press-in PCB; screw, Case: C6 62mm, Mechanical mounting: screw, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 225A, Pulsed collector current: 450A, Technology: Trench FS IGBT, Topology: IGBT half-bridge, кількість в упаковці: 10 шт.

Інші пропозиції GD225HFX170C6S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GD225HFX170C6S Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 225A
Max. off-state voltage: 1.7kV
Electrical mounting: Press-in PCB; screw
Case: C6 62mm
Mechanical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 225A
Pulsed collector current: 450A
Technology: Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.