GD25PJY120F2S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD25PJY120F2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 49 A, 1.7 V, 188 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Modul
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 49A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3538.82 грн |
| 5+ | 3358.08 грн |
| 10+ | 3181.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD25PJY120F2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD25PJY120F2S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 49 A, 1.7 V, 188 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Modul, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 49A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: Modul, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GD25PJY120F2S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GD25PJY120F2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0 Collector current: 25A Case: F2.0 Pulsed collector current: 50A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 25 шт |
товару немає в наявності |
||
| GD25PJY120F2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1200V; F2.0 Collector current: 25A Case: F2.0 Pulsed collector current: 50A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: boost chopper; IGBT three-phase bridge OE output; NTC thermistor; three-phase diode bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |