GD400HFY120C2S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD400HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 630 A, 2 V, 2.083 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 2.083
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 630
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 7925.54 грн |
| 5+ | 7814.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD400HFY120C2S STARPOWER
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A, Technology: Advanced Trench FS IGBT, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: transistor/transistor, Case: C2 62mm, Pulsed collector current: 800A, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Topology: IGBT half-bridge, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 400A, кількість в упаковці: 10 шт.
Інші пропозиції GD400HFY120C2S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD400HFY120C2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A Technology: Advanced Trench FS IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C2 62mm Pulsed collector current: 800A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 400A кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
||
| GD400HFY120C2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A Technology: Advanced Trench FS IGBT Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: transistor/transistor Case: C2 62mm Pulsed collector current: 800A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 400A |
товар відсутній |