GD400HFY120C2S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD400HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 630 A, 2 V, 2.083 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 2.083
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 630
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9021.83 грн |
| 5+ | 8895.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD400HFY120C2S STARPOWER
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Type of semiconductor module: IGBT, Topology: IGBT half-bridge, Case: C2 62mm, Mechanical mounting: screw, Semiconductor structure: transistor/transistor, Technology: Advanced Trench FS IGBT, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 400A, Pulsed collector current: 800A, кількість в упаковці: 10 шт.
Інші пропозиції GD400HFY120C2S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GD400HFY120C2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C2 62mm Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: Advanced Trench FS IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 400A Pulsed collector current: 800A кількість в упаковці: 10 шт |
товару немає в наявності |
||
| GD400HFY120C2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 400A Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: FASTON connectors; screw Type of semiconductor module: IGBT Topology: IGBT half-bridge Case: C2 62mm Mechanical mounting: screw Semiconductor structure: transistor/transistor Technology: Advanced Trench FS IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 400A Pulsed collector current: 800A |
товару немає в наявності |