
GD400HFY120C2S STARPOWER

Description: STARPOWER - GD400HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 630 A, 2 V, 2.083 kW, 150 °C, Module
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2
Verlustleistung Pd: 2.083
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
DC-Kollektorstrom: 630
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 8857.22 грн |
5+ | 8733.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD400HFY120C2S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD400HFY120C2S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 630 A, 2 V, 2.083 kW, 150 °C, Module, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2, Verlustleistung Pd: 2.083, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: -, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, DC-Kollektorstrom: 630, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції GD400HFY120C2S
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
GD400HFY120C2S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD400HFY120C2S IGBT modules |
товару немає в наявності |