GD450HFY120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR


Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Pulsed collector current: 900A
Collector current: 450A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C2 62mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD450HFY120C2S STARPOWER SEMICONDUCTOR

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A, Pulsed collector current: 900A, Collector current: 450A, Gate-emitter voltage: ±20V, Semiconductor structure: transistor/transistor, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Max. off-state voltage: 1.2kV, Case: C2 62mm, Type of module: IGBT, Technology: Advanced Trench FS IGBT, Topology: IGBT half-bridge, кількість в упаковці: 12 шт.

Інші пропозиції GD450HFY120C2S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GD450HFY120C2S Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 450A
Pulsed collector current: 900A
Collector current: 450A
Gate-emitter voltage: ±20V
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: C2 62mm
Type of module: IGBT
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Topology: IGBT half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.