GD50FFY120C5S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD50FFY120C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 85 A, 1.7 V, 292 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 85A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 292W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 292W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 85A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4721.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD50FFY120C5S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD50FFY120C5S - IGBT-Modul, Dreiphasen-Vollbrücke, 85 A, 1.7 V, 292 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 85A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 292W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 292W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Vollbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 85A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції GD50FFY120C5S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD50FFY120C5S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Case: C5 45mm Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 50A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| GD50FFY120C5S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Case: C5 45mm Type of module: IGBT Technology: Advanced Trench FS IGBT Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 50A Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |