Продукція > STARPOWER > GD50HFU120C1SD
GD50HFU120C1SD

GD50HFU120C1SD STARPOWER

Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD50HFU120C1SD - IGBT-Modul, Halbbrücke, 82 A, 2.9 V, 440 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V
Dauer-Kollektorstrom: 82A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 440W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2993.50 грн
5+2878.24 грн
10+2656.77 грн
50+2440.25 грн
100+2187.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD50HFU120C1SD STARPOWER

Description: STARPOWER - GD50HFU120C1SD - IGBT-Modul, Halbbrücke, 82 A, 2.9 V, 440 W, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9V, Dauer-Kollektorstrom: 82A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Schraubanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 440W, Bauform - Transistor: Modul, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: To Be Advised.