GD50HFX65C1S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 75 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 205W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2389.04 грн |
| 5+ | 2269.52 грн |
| 10+ | 2102.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD50HFX65C1S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD50HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 75 A, 1.45 V, 205 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 75A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 205W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 205W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 75A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції GD50HFX65C1S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD50HFX65C1S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A Case: C1 34mm Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 650V Collector current: 50A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| GD50HFX65C1S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 50A Case: C1 34mm Type of module: IGBT Technology: Trench FS IGBT Topology: IGBT half-bridge Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 650V Collector current: 50A Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw |
товар відсутній |