GD50HHU120C5S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD50HHU120C5S - IGBT-Modul, H-Brücke, 77 A, 2.9 V, 396 W, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9
Dauer-Kollektorstrom: 77
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9
Verlustleistung Pd: 396
Verlustleistung: 396
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: H-Brücke
DC-Kollektorstrom: 77
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4349.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD50HHU120C5S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD50HHU120C5S - IGBT-Modul, H-Brücke, 77 A, 2.9 V, 396 W, 125 °C, Module, IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.9, Dauer-Kollektorstrom: 77, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.9, Verlustleistung Pd: 396, Verlustleistung: 396, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: H-Brücke, DC-Kollektorstrom: 77, Betriebstemperatur, max.: 125, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
Інші пропозиції GD50HHU120C5S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD50HHU120C5S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw Technology: NPT Ultra Fast IGBT Collector current: 50A Case: C5 45mm Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Topology: H-bridge Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| GD50HHU120C5S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1200V; screw Technology: NPT Ultra Fast IGBT Collector current: 50A Case: C5 45mm Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 100A Semiconductor structure: transistor/transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Topology: H-bridge Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT |
товар відсутній |