GD600HFY120P1S STARPOWER SEMICONDUCTOR


Виробник: STARPOWER SEMICONDUCTOR
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: P1.0
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
кількість в упаковці: 9 шт
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD600HFY120P1S STARPOWER SEMICONDUCTOR

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: screw, Type of semiconductor module: IGBT, Topology: IGBT half-bridge, Case: P1.0, Mechanical mounting: screw, Semiconductor structure: transistor/transistor, Technology: Advanced Trench FS IGBT, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 600A, Pulsed collector current: 1.2kA, кількість в упаковці: 9 шт.

Інші пропозиції GD600HFY120P1S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GD600HFY120P1S Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 600A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: IGBT half-bridge
Case: P1.0
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Technology: Advanced Trench FS IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 600A
Pulsed collector current: 1.2kA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.