GD650HFX170P1S STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD650HFX170P1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.073 kA, 1.9 V, 4.2 kW, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
Dauer-Kollektorstrom: 1.073kA
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9V
Verlustleistung Pd: 4.2kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2kW
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 1.073kA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 25354.64 грн |
| 5+ | 24409.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD650HFX170P1S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD650HFX170P1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 1.073 kA, 1.9 V, 4.2 kW, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V, Dauer-Kollektorstrom: 1.073kA, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.9V, Verlustleistung Pd: 4.2kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 1.073kA, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції GD650HFX170P1S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GD650HFX170P1S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 650A Max. off-state voltage: 1.7kV Case: P1.0 Technology: Trench FS IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 650A Pulsed collector current: 1.3kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge кількість в упаковці: 9 шт |
товар відсутній |
||
| GD650HFX170P1S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 650A Max. off-state voltage: 1.7kV Case: P1.0 Technology: Trench FS IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 650A Pulsed collector current: 1.3kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Topology: IGBT half-bridge |
товар відсутній |