Продукція > STARPOWER > GD75FFX170C6S
GD75FFX170C6S

GD75FFX170C6S STARPOWER


3665572.pdf Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75FFX170C6S - IGBT-Modul, Sechserpack, 139 A, 1.85 V, 559 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 139A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 559W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 559W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Sechserpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 139A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11066.91 грн
5+10430.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD75FFX170C6S STARPOWER

Description: STARPOWER - GD75FFX170C6S - IGBT-Modul, Sechserpack, 139 A, 1.85 V, 559 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 139A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 559W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 559W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 139A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції GD75FFX170C6S

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GD75FFX170C6S Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 75A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD75FFX170C6S Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Topology: IGBT three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 75A
Case: C6 62mm
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Technology: Trench FS IGBT
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.