GD75HFU120C1SD STARPOWER
Виробник: STARPOWERDescription: STARPOWER - GD75HFU120C1SD - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 2.8 V, 484 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 484W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2978.68 грн |
| 5+ | 2864.24 грн |
| 10+ | 2643.60 грн |
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Технічний опис GD75HFU120C1SD STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75HFU120C1SD - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 2.8 V, 484 W, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Schraubanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 484W, Bauform - Transistor: Modul, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: To Be Advised.