GD75HFX170C1S STARPOWER
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 139 A, 1.85 V, 559 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
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IGBT-Technologie: Trench-Transistor
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IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
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DC-Kollektorstrom: 139A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
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Технічний опис GD75HFX170C1S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75HFX170C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 139 A, 1.85 V, 559 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 559W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 559W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.7kV, Dauerkollektorstrom: 139A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 139A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції GD75HFX170C1S
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GD75HFX170C1S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 75A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 1.7kV Collector current: 75A Case: C1 34mm Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Technology: Trench FS IGBT Mechanical mounting: screw |
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