GD75HFX65C1S STARPOWER
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 258W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STARPOWER - GD75HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Module
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Transistormontage: Platte
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IGBT-Technologie: Trench-Transistor
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
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IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 258W
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Verlustleistung: 258W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 100A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2544.85 грн |
24+ | 2514.14 грн |
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Технічний опис GD75HFX65C1S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75HFX65C1S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 100 A, 1.45 V, 258 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench-Transistor, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 258W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 258W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції GD75HFX65C1S
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
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GD75HFX65C1S | Виробник : STARPOWER SEMICONDUCTOR | GD75HFX65C1S IGBT modules |
товар відсутній |