Продукція > STARPOWER > GD75HHU120C5SD
GD75HHU120C5SD

GD75HHU120C5SD STARPOWER

4024579.pdf
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75HHU120C5SD - IGBT-Modul, Halbbrücke, 111 A, 2.8 V, 565 W, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Schraubanschluss
euEccn: NLR
Verlustleistung: 565W
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 111A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5921.04 грн
5+5591.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GD75HHU120C5SD STARPOWER

Description: STARPOWER - GD75HHU120C5SD - IGBT-Modul, Halbbrücke, 111 A, 2.8 V, 565 W, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: NPT Ultra Fast IGBT, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.8V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Schraubanschluss, euEccn: NLR, Verlustleistung: 565W, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 111A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Halbbrücke, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: To Be Advised.