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GD75PIX65C6S STARPOWER



Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD75PIX65C6S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 103 A, 1.45 V, 267 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V
Verlustleistung Pd: 267W
Verlustleistung: 267W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 103A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: No
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 103A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Технічний опис GD75PIX65C6S STARPOWER

Description: STARPOWER - GD75PIX65C6S - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 103 A, 1.45 V, 267 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.45V, Verlustleistung Pd: 267W, Verlustleistung: 267W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V, Dauerkollektorstrom: 103A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 103A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.