GD800SGX170C3S STARPOWER
Виробник: STARPOWER
Description: STARPOWER - GD800SGX170C3S - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, gemeinsames Gate, 800 A, 2.3 V, 5.75 kW, 150 °C
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Verlustleistung: 5.75kW
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
Bauform - Transistor: -
Dauerkollektorstrom: 800A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter, gemeinsames Gate
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20945.17 грн |
| 5+ | 20503.82 грн |
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Технічний опис GD800SGX170C3S STARPOWER
Description: STARPOWER - GD800SGX170C3S - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, gemeinsames Gate, 800 A, 2.3 V, 5.75 kW, 150 °C, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: Trench/Feldstop, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Verlustleistung: 5.75kW, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022), Bauform - Transistor: -, Dauerkollektorstrom: 800A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7kV, IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter, gemeinsames Gate, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C.


