Продукція > GE AEROSPACE > GE12047BCA3
GE12047BCA3

GE12047BCA3 GE Aerospace

1200v-dual-silicon-carbide-power-module-GE12047BCA3.pdf
Виробник: GE Aerospace
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 475A
Packaging: Box
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (Tc)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1250W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 475A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29300pF @ 600V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 475A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1248nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 160mA
Part Status: Active
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+147219.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GE12047BCA3 GE Aerospace

Description: MOSFET 2N-CH 1200V 475A, Packaging: Box, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (Tc), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 1250W, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 475A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 29300pF @ 600V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 475A, 20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1248nC @ 18V, FET Feature: Silicon Carbide (SiC), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 160mA, Part Status: Active.