GHXS100B120S-D3 SemiQ
Виробник: SemiQDescription: DIODE MOD SIC 1200V 198A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 198A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3126.35 грн |
| 10+ | 2263.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GHXS100B120S-D3 SemiQ
Description: DIODE MOD SIC 1200V 198A SOT-227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 198A (DC), Supplier Device Package: SOT-227, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції GHXS100B120S-D3 за ціною від 2128.74 грн до 3426.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GHXS100B120S-D3 | Виробник : SemiQ |
Diode Modules SiC SBD 1200V 100A SiC Power Modules |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|