GNP2025TD-ZTR ROHM
Виробник: ROHM
Description: ROHM - GNP2025TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 59.8 A, 0.035 ohm, 13.2 nC, TOLL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 13.2nC
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1970.97 грн |
| 5+ | 1576.45 грн |
| 10+ | 1274.66 грн |
| 50+ | 1114.88 грн |
| 100+ | 964.28 грн |
| 250+ | 960.09 грн |
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Технічний опис GNP2025TD-ZTR ROHM
Description: ROHM - GNP2025TD-ZTR - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 59.8 A, 0.035 ohm, 13.2 nC, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 59.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Gate-Ladung, typ.: 13.2nC, Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).