| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 809.48 грн |
| 10+ | 484.33 грн |
| 120+ | 420.47 грн |
| 510+ | 387.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GP3T020A120H SemiQ
Description: GEN3 1200V, 20M SIC MOSFET, TO-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 18V, Power Dissipation (Max): 429W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6078 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції GP3T020A120H за ціною від 482.06 грн до 834.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GP3T020A120H | Виробник : SemiQ |
 Description: GEN3 1200V, 20M SIC MOSFET, TO-2Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 40A, 18V Power Dissipation (Max): 429W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6078 pF @ 1000 V |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|