GPI4TIC15DFV GaNPower
Виробник: GaNPowerDescription: Power IC based on Power GaN HEMT
Packaging: Tube
Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad
Configuration: N-Channel
Technology: MOSFET
Supplier Device Package: 8-DFN (8x8)
Part Status: Active
Voltage - Rated: 900 V
Voltage - Test: 6.5 V
Current - Test: 2.5 A
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 744.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GPI4TIC15DFV GaNPower
Description: Power IC based on Power GaN HEMT, Packaging: Tube, Package / Case: 8-WDFN Exposed Pad, Configuration: N-Channel, Technology: MOSFET, Supplier Device Package: 8-DFN (8x8), Part Status: Active, Voltage - Rated: 900 V, Voltage - Test: 6.5 V, Current - Test: 2.5 A.