Продукція > GANPOWER > GPI65030TO5L

GPI65030TO5L GaNPower

fixed-GPI65030TO5L_V1.3.pdf
Виробник: GaNPower
Description: GaNFET N-CH 650V 30A TO263-5L
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 241 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7.5V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 3.5mA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1175.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GPI65030TO5L GaNPower

Description: GaNFET N-CH 650V 30A TO263-5L, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 241 pF @ 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 6 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): +7.5V, -12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 3.5mA, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, FET Type: N-Channel, Technology: GaNFET (Gallium Nitride), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Packaging: Tape & Reel (TR).