Продукція > MGT BRIGHTEK > GPT65C0YME

GPT65C0YME MGT BRIGHTEK

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9DAAB2157CBA20D3&compId=GPT65Z3YMR.PDF?ci_sign=ec60ad1b7358ecc53b0fa5a5f45de9771b84aad5

Виробник: MGT BRIGHTEK
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 31A
Case: DFN8080
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 245mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22nC
Kind of package: tape
Power dissipation: 38W
кількість в упаковці: 2500 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис GPT65C0YME MGT BRIGHTEK

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V, Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET, Technology: GaN, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: cascode; HEMT, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 6A, Pulsed drain current: 31A, Case: DFN8080, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 245mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 22nC, Kind of package: tape, Power dissipation: 38W, кількість в упаковці: 2500 шт.

Інші пропозиції GPT65C0YME

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	GPT65C0YME	Виробник : MGT BRIGHTEK	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET / N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V Type of transistor: N-JFET / N-MOSFET Technology: GaN Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode; HEMT Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Pulsed drain current: 31A Case: DFN8080 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 245mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: tape Power dissipation: 38W	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.