GPT65Z4YMR MGT BRIGHTEK
Виробник: MGT BRIGHTEKCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V
Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET
Technology: GaN
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: cascode; HEMT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11.5A
Pulsed drain current: 80A
Case: DFN8080
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tape
Power dissipation: 67.5W
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GPT65Z4YMR MGT BRIGHTEK
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V, Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET, Technology: GaN, Polarisation: unipolar, Kind of transistor: cascode; HEMT, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 11.5A, Pulsed drain current: 80A, Case: DFN8080, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.13Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 38nC, Kind of package: tape, Power dissipation: 67.5W, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції GPT65Z4YMR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GPT65Z4YMR | Виробник : MGT BRIGHTEK |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-JFET/N-MOSFET; GaN; unipolar; HEMT,cascode; 650V Type of transistor: N-JFET/N-MOSFET Technology: GaN Polarisation: unipolar Kind of transistor: cascode; HEMT Drain-source voltage: 650V Drain current: 11.5A Pulsed drain current: 80A Case: DFN8080 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tape Power dissipation: 67.5W |
товару немає в наявності |