Продукція > GAN SYSTEMS > GS66506T-E01-MR
GS66506T-E01-MR

GS66506T-E01-MR GaN Systems

GS66506T-DS-Rev-180213-1314211.pdf
Виробник: GaN Systems
MOSFET 650V 22A E-Mode GaN
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GS66506T-E01-MR GaN Systems

GaN FETs 650V, 22A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled.

Інші пропозиції GS66506T-E01-MR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
GS66506T-E01-MR GS66506T-E01-MR Infineon Technologies GS66506T-DS-Rev-200402.pdf GaN FETs 650V, 22A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66506T-E01-MR GS66506T-DS-Rev-200402.pdf
GS66506T-E01-MR
Виробник: Infineon Technologies
GaN FETs 650V, 22A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.