Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > GSFH60R160
GSFH60R160

GSFH60R160 Good-Ark Semiconductor

GSFH60R160.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 24.00A, 60
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+239.98 грн
50+115.71 грн
100+104.55 грн
500+79.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GSFH60R160 Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 24.00A, 60, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1482 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 12A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).