Продукція > GOOD-ARK SEMICONDUCTOR > GSFU2016
GSFU2016

GSFU2016 Good-Ark Semiconductor

GSFU2016.pdf
Виробник: Good-Ark Semiconductor
Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 18.00A, 20
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+98.63 грн
50+44.77 грн
100+39.79 грн
500+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис GSFU2016 Good-Ark Semiconductor

Description: MOSFET, N-CH, SINGLE, 18.00A, 20, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1108 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220F, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Packaging: Tube.