GT250P10M GOFORD Semiconductor
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 66.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GT250P10M GOFORD Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -100V; -56A; 173.6W; TO263, Kind of channel: enhancement, Mounting: SMD, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: SGT, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -100V, Drain current: -56A, Gate charge: 73nC, Gate-source voltage: ±20V, Power dissipation: 173.6W, Case: TO263.
Інші пропозиції GT250P10M
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| GT250P10M | Виробник : GOFORD SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; SGT; unipolar; -100V; -56A; 173.6W; TO263 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Technology: SGT Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -56A Gate charge: 73nC Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 173.6W Case: TO263 |
товару немає в наявності |