HAS175M12BM3 Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 175A
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 25216.89 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HAS175M12BM3 Wolfspeed, Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 1200V 175A, Packaging: Bulk, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Technology: Silicon Carbide (SiC), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 175A, FET Feature: Silicon Carbide (SiC).
Інші пропозиції HAS175M12BM3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
HAS175M12BM3 | Wolfspeed |
Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 175A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| HAS175M12BM3 |
|
Виробник: Wolfspeed
Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 175A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
Discrete Semiconductor Modules SiC, Module, 175A, 1200V, 62mm, BM3, Half-Bridge, Industrial, Harsh Environment
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)