HAT2201WP-EL-E Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: 15A, 100V, N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Supplier Device Package: 8-WPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Bulk
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HAT2201WP-EL-E Renesas Electronics Corporation
Description: 15A, 100V, N-CHANNEL MOSFET, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Supplier Device Package: 8-WPAK, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 7.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerWDFN, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції HAT2201WP-EL-E за ціною від 146.48 грн до 176.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HAT2201WP-EL-E | Renesas |
Silicon N Channel Power MOS FET |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| HAT2201WP-EL-E |
|
Виробник: Renesas
Silicon N Channel Power MOS FET
Silicon N Channel Power MOS FET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 202+ | 176.01 грн |
| 500+ | 158.29 грн |
| 1000+ | 146.48 грн |